膜形成方法及膜形成装置

摘要

本发明提供一种自然氧化膜之膜形成装置，其与先前相比，可于极低之温度下除去矽基板W之自然氧化膜。该膜形成装置系将矽基板W上之自然氧化膜转变为挥发性物质，并使该挥发性物质蒸发，由此实现于低温下去除自然氧化膜。使自然氧化膜与氟化铵反应，由此可将自然氧化膜转变为挥发性物质，即矽氟化铵。可于已除去自然氧化膜之矽基板W上使单结晶之SiGe膜成长。该装置具有基板移送室，于该基板移送室中，系于蚀刻室与SiGe成长室之间，于管理环境气体下移送矽基板。

主权项

一种膜形成方法，其特征在于其包含：第1步骤，其将矽基板之自然氧化膜转变为挥发性物质；第2步骤，其使上述挥发性物质蒸发；以及第3步骤，其于已去除上述自然氧化膜之上述矽基板上使矽与锗之合成膜成长；上述第1步骤至第3步骤系于同一处理室内进行。