发明名称 对接合基板进行植入以增进其导电性的方法和结构
摘要 本发明提供一种部分完成的多层基板,例如矽上矽。该基板具有来自第一基板的一定厚度的材料。该厚度的材料具有第一表面区域。该基板包括有具有第二表面区域的第二基板。较佳,该厚度的材料的该第一表面区域系结合至该第二基板的该第二表面区域。该基板具有形成在该厚度的材料的该第一表面区域与该第二基板的该第二表面区域之间的界面区域。复数个颗粒被植入该厚度的材料的一部分和该界面区域的一部分,以使该厚度的材料的一部分与该第二基板的一部分电耦合。
申请公布号 TWI447785 申请公布日期 2014.08.01
申请号 TW095144436 申请日期 2006.11.30
申请人 矽基因股份有限公司 美国 发明人 汉利J. 法兰科斯
分类号 H01L21/265;H01L21/00 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人 赖经臣 台北市松山区南京东路3段346号11楼;宿希成 台北市松山区南京东路3段346号11楼
主权项 一种多层基板的形成方法,包括:提供一第一基板,该第一基板具有一定厚度的待去除材料,该厚度的待去除材料具有一第一表面区域;将该第一基板的该第一表面区域结合至一第二基板的一第二表面区域,以在该第一基板的该第一表面与该第二基板的该第二表面区域之间形成一界面区域;从该第一基板去除该厚度的待去除材料,同时保持该第一基板的该第一表面区域黏附至该第二基板的该第二表面区域;在该厚度的待去除材料的表面区域上面形成遮罩层,以在该厚度的待去除材料的一部分上形成一暴露区域;在该暴露区域中植入颗粒并穿过该界面区域的一部分,以在该界面区域的该部分的邻近区域内形成该颗粒分布的区域,以使该厚度的待去除材料的该部分耦合至该第二基板,以形成一包括至少该暴露区域和该厚度的待去除材料之该部分的植入区域;以及至少使该植入区域进行至少一热处理,以促使该植入区域结晶。
地址 美国