发明名称 离子布植机及其离子布植方法;ION IMPLANTER AND ION IMPLANT METHOD THEREOF
摘要 本发明揭露一种离子布植机与离子布植方法。晶圆沿一方向移动而一具有一孔洞的孔洞驱动机构沿另一方向移动,使经由孔洞调整的离子束之投影区域在晶圆上进行二维扫描。因此可简化所需的硬体设备及/或移动晶圆所需的操作。此外,当使用带状离子束时,孔洞的形状/尺寸可与一传统点状离子束相近,因此可达成传统之二维扫描。选择性地,当离子束将要被布植晶圆时,离子束路径可以是固定的而没有扫描离子束,同时在移动孔洞通过离子束的期间可调整孔洞的面积。该离子束组件沿一固定离子束路径输出该离子束并且当该离子束邻近该晶圆时未扫描该离子束。
申请公布号 TW201430916 申请公布日期 2014.08.01
申请号 TW103101547 申请日期 2014.01.16
申请人 汉辰科技股份有限公司 发明人 万 志民;波拉克 约翰;贝瑞安 唐
分类号 H01L21/265(2006.01) 主分类号 H01L21/265(2006.01)
代理机构 代理人 <name>陈达仁</name>
主权项
地址 ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC. 新竹市新竹科学工业园区研新一路18号5楼