发明名称 | 半导体元件的制作方法;METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE | ||
摘要 | 一种半导体元件的制作方法,包含有以下步骤:首先,提供一基底,接着利用一第一光罩对该基底进行一第一微影蚀刻步骤,其中该第一光罩上包含有至少一元件图案以及复数个虚设图案,以于该基底上形成至少一元件结构以及复数个补偿结构,然后覆盖一光阻层于该元件结构以及各该虚置结构上,再利用一第二光罩进行一第二微影蚀刻步骤,移除各该虚置结构。 | ||
申请公布号 | TW201430903 | 申请公布日期 | 2014.08.01 |
申请号 | TW102102473 | 申请日期 | 2013.01.23 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 林静龄;曹博昭;梁家瑞;刘恩铨 |
分类号 | H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | H01L21/027(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | <name>吴丰任</name><name>戴俊彦</name> | |
主权项 | |||
地址 | UNITED MICROELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |