发明名称 光触媒注入方法及光触媒注入系统
摘要 本发明的课题是在于提供一种因为光激发反应的效率高,所以金属构件的腐蚀电位大幅度降低,因此防蚀效果高,运转成本小的光触媒注入方法及光触媒注入系统。其解决手段为一种光触媒注入系统(1),具备:原子炉一次系冷却材采取部(10),其系从原子炉一次系(5)采取含贵金属或贵金属离子的原子炉一次系冷却材(70);光触媒添加部(20),其系对被采取的原子炉一次系冷却材(70)添加光触媒;紫外线照射部(30),其系对在光触媒添加部(20)所取得的冷却材(71)照射紫外线(81),藉此在冷却材中使在前述光触媒的表面载持前述贵金属的贵金属载持光触媒生成;及贵金属载持光触媒注入部(40),其系将含前述贵金属载持光触媒的冷却材(72)注入至前述原子炉一次系(5)。
申请公布号 TW201430858 申请公布日期 2014.08.01
申请号 TW102134528 申请日期 2013.09.25
申请人 东芝股份有限公司 发明人 冈村雅人;柴崎理;根岸孝次;山本诚二;新井裕之;闰间裕
分类号 G21D1/00(2006.01);G21D3/08(2006.01) 主分类号 G21D1/00(2006.01)
代理机构 代理人 <name>林志刚</name>
主权项
地址 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本