次饱和之原子层沉积及保形膜沉积;SUB-SATURATED ATOMIC LAYER DEPOSITION AND CONFORMAL FILM DEPOSITION

摘要

本发明提供使用电浆活化次饱合原子层沉积来沉积连续性薄膜的方法和装置。根据不同的实施例，可沉积出无针孔连续性的膜，其厚度薄于使用知方法所能达成的膜厚度。在部分实施例中，该方法和装置也提供了高度的厚度控制，其中每循环膜厚度可调整低至0.1 。此外，在部分实施例中，该方法和装置也可用于提供具有改良特性的薄膜，如：较低的湿蚀刻速率。