隔离结构和包含隔离结构的元件结构

摘要

一种隔离结构，包括配置在半导体基底的沟渠中且导电型和基底相同的掺杂半导体层、介于掺杂半导体层和半导体基底之间的闸介电层，以及半导体基底中以从掺杂半导体层穿过闸介电层而来的掺质扩散而形成的扩散区。一种元件结构，包括上述隔离结构，以及在隔离结构旁的基底中的垂直电晶体。此垂直电晶体包含位于扩散区旁的第一源/汲极区，以及位于第一源/汲极区上方的第二源/汲极区。第一源/汲极区和第二源/汲极区的导电型和掺杂半导体层不同。

主权项

一种隔离结构，包括：一掺杂半导体层，位于一半导体基底的一沟渠中，且具有与该基底相同的导电型；一闸介电层，位于该掺杂半导体层和该基底之间；以及一扩散区，位于该基底中，且该扩散区配置在一源/汲极区旁，是以从该掺杂半导体层穿过该闸介电层而来的掺质扩散而形成，其中该扩散区具有第一导电类型且该源/汲极区具有第二导电类型。