发明名称 半导体发光装置及半导体发光装置之制造方法
摘要 半导体发光装置具有支撑基板、发光元件、及底填料。发光元件包括经由支撑基板上之凸块而接触之基于氮化物的III-V族化合物半导体层。底填料配置在支撑基板与发光元件之间,底填料包含配置在发光元件之一端面外的脊部以围绕发光元件的该端表面。
申请公布号 TWI447966 申请公布日期 2014.08.01
申请号 TW099129917 申请日期 2010.09.03
申请人 东芝股份有限公司 日本 发明人 后藤田彻;名古肇;冈俊行;财满康太郎;布上真也
分类号 H01L33/48 主分类号 H01L33/48
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种半导体发光装置,包含:一支撑基板;一发光元件,包括经由该支撑基板上之一凸块而接触之一基于氮化物的III-V族化合物半导体层;一底填料,配置在该支撑基板与该发光元件之间于将被积层之方向,该底填料包含配置在该发光元件之一侧面外的一脊部而不接触该发光元件之该侧面于该支撑基板之表面的方向,以围绕该发光元件的该侧面;包括一萤光材料之一第一树脂,该第一树脂配置在该底填料上及该脊部之内部以覆盖该发光元件的该侧面之至少一部分;及一封装件,其覆盖该发光元件的一表面及该脊部之一外端面的内部,该封装件系由包括一萤光材料之一第二树脂材料所制成。
地址 日本