半导体装置及其制造方法

摘要

在一半导体装置100中，一发光元件120已安装于一半导体基板102之一上部平面上。在该半导体基板102之一杂质扩散区中，已形成一P传导类型层104，且在一N传导类型杂质植入该P层104且接着该经植入之杂质经扩散以构成一N层106时已形成该N层106。由一半导体装置所制成之一齐纳二极体108已由该P层104及该N层106形成。

主权项

一种半导体装置，其包含：一基板，该基板包括一第一布线层，及一第二布线层；一电子组件；一第一电极，连接至该电子组件；一第二电极，连接至该电子组件；该第一电极与该第一布线层间之一第一耦合；及该第二电极与该第二布线层间之一第二耦合，其中，该基板系一半导体基板；形成于该半导体基板之一杂质扩散区中的一半导体元件之一区系电连接至该电子组件；复数个穿透电极，形成于该半导体基板中，该复数个穿透电极电连接至该电子组件，该复数个穿透电极包括一第一穿透电极及一第二穿透电极，该第一穿透电极系连接至该第一布线层而该第二穿透电极系连接至该第二布线层；该第一布线层系形成于该半导体基板面向该电子组件之表面上及该第一穿透电极上方，且连接该半导体元件之一第一区至该第一穿透电极和该电子组件之该第一电极，该第二布线层系形成于该半导体基板面向该电子组件之表面上及该第二穿透电极上方，且连接该半导体元件之一第二区至该第二穿透电极和该电子组件之该第二电极；及一形成于该半导体基板整个表面上包括该半导体基板之一孔洞内壁的保护膜，使得该第一布线层、该第二布线层、该第一穿透电极及该第二穿透电极经由该保护膜而形成于该半导体基板上，其中该第一布线层系经由一第一连接部而连接至该半导体元件之该第一区，其中该第一连接部系形成于在该半导体基板面向该电子组件之表面上所形成之该保护膜中，其中该第二布线层系经由一第二连接部而连接至该半导体元件之该第二区，其中该第二连接部系形成于在该半导体基板面向该电子组件之表面上所形成之该保护膜中，其中该第一穿透电极系与该第一电极相对，及其中该第二穿透电极系与该第二电极相对。