半导体结构及其制作方法

摘要

一种半导体结构，包括一基底、一第一导电型之井区、一第二导电型之井区、一本体区、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一第三掺杂区以及一场板。第一导电型之井区与第二导电型之井区分别形成于基底中。本体区形成于第二导电型之井区中。第一与第二掺杂区分别形成于第一导电型之井区中与本体区中。第二掺杂区与第一掺杂区的极性相同，且第二掺杂区的杂质浓度大于第一掺杂区的杂质浓度。第三掺杂区形成于第二导电型之井区，且位于第一与第二掺杂区之间。第三掺杂区与第一掺杂区的极性相反。场板形成于第二与第三掺杂区之间的表面区域。

主权项

一种半导体结构，包括：一基底；一第一导电型之井区与一第二导电型之井区，分别形成于该基底中；一本体区，形成于该第二导电型之井区中；一第一掺杂区与一第二掺杂区，分别形成于该第一导电型之井区中与该本体区中，该第二掺杂区的极性与该第一掺杂区的极性相同，且该第二掺杂区的杂质浓度大于该第一掺杂区的杂质浓度；一第三掺杂区，形成于该第二导电型之井区，且位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间，该第三掺杂区的极性与该第一掺杂区的极性相反；以及一第一场板，形成于该第二掺杂区与该第三掺杂区之间的表面区域，且该第一场板覆盖该本体区的一部分以及该第二导电型之井区的一部分表面区域。