发明名称 硷性化合物、化学增幅型光阻材料及图案形成方法
摘要 本发明提供一种化学增幅型光阻材料,系含有基础聚合物、以式(1)表示之硷性化合物、及酸发生剂。;(1);(R1为氢原子、烷基、芳基、芳烷基、烯基、炔基或含杂环之基团,该等基也可复合,该等基也可具有羟基等,或R1也可为酸不稳定基。R为氢原子、巯基、羟基或烷基,或也可与式(1)中之氮原子键结并形成环。R2为酸不稳定基,R3、R4为氢原子或烷基,m为2~4之整数。);本发明之光阻材料,于曝光前后之硷溶解速度对比度大幅提高,且具高解像性,曝光后之图案形状良好、粗糙度小、且呈现聚焦界限(DOF)广的特征。
申请公布号 TWI447519 申请公布日期 2014.08.01
申请号 TW100141084 申请日期 2011.11.10
申请人 信越化学工业股份有限公司 日本 发明人 畠山润;提箸正义;渡边武
分类号 G03F7/004;G03F7/038;G03F7/039;C07C229/04;H01L21/027 主分类号 G03F7/004
代理机构 代理人 周良谋 新竹市东大路1段118号10楼;周良吉 新竹市东大路1段118号10楼
主权项 一种化学增幅型光阻材料,其特征为包含:基础聚合物、及以下列通式(1)表示之硷性化合物、及酸发生剂:(式中,R1为氢原子、碳数1~30之直链状、分支状或环状之烷基、碳数6~30之芳基、碳数7~30之芳烷基、碳数2~30之烯基、碳数2~10之炔基、或碳数4~12之含杂环之基团,该等基也可复合,又,该等基也可具有羟基、巯基、羧基、醚基、硫醚基(thioether group)、酯基、磺酸酯基、磺醯基、内酯环、羰基、氰基、硝基、卤素原子、三氟甲基、醯胺基、醯亚胺基、磺醯胺基、碳酸酯基、硫醚基(sulfide group)、-N=CR-O-、-N=CR-S-、=N-O-N=中任一者,或R1也可为酸不稳定基;R为氢原子、巯基、羟基、或碳数1~3之烷基,或也可与式(1)中之氮原子键结而形成环;R2为酸不稳定基,R3、R4为氢原子、或碳数1~4之直链状或分支状之烷基;m为3或4)。
地址 日本