| 发明名称 |
具有多层电极结构之电容单元 |
| 摘要 |
一种具有多层电极结构之电容单元，包含：一介电层，其具有相对的第一、第二表面；一成型于该第一表面之第一电极；以及一成型于该第二表面之第二电极；其中，该第一电极与该第二电极的至少其中之一具有一由最接近该介电层起算之低能隙材料层及一导体层，该低能隙材料层之能隙系较该导体层之能隙为低。 |
| 申请公布号 |
TWI447765 |
申请公布日期 |
2014.08.01 |
| 申请号 |
TW101100355 |
申请日期 |
2012.01.04 |
| 申请人 |
华亚科技股份有限公司 桃园县龟山乡复兴三路667号 |
发明人 |
李宗翰;黄仲麟;朱荣福 |
| 分类号 |
H01G5/011 |
主分类号 |
H01G5/011 |
| 代理机构 |
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代理人 |
庄志强 台北市大安区敦化南路2段71号18楼 |
| 主权项 |
一种具有多层电极结构之电容单元，包含：一介电层，其具有相对的第一、第二表面；一成型于该第一表面之第一电极；以及一成型于该第二表面之第二电极；其中，该第一电极与该第二电极均具有一由最接近该介电层起算之低能隙材料层及一成型于所述低能隙材料层的导体层，所述低能隙材料层之能隙系较所述导体层之能隙为低，所述低能隙材料层与所述导体层之间的异质接面上产生一量子井结构。 |
| 地址 |
桃园县龟山乡复兴三路667号 |
