发明名称 |
具有静电放电防护功效的电晶体结构;TRANSISTOR STRUCTURE FOR ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION |
摘要 |
本发明揭露了一种具有静电放电防护功效的电晶体结构,包含有一基底、一掺杂井、一第一掺杂区、一第二掺杂区以及一第三掺杂区。掺杂井设置于基底中,且具有一第一导电型。第一掺杂区设置在基底中且被掺杂井包围,并具有第一导电型。第二掺杂区设置于基底中且被掺杂井包围,并具有一第二导电型。第三掺杂区设置于基底中且被掺杂井包围,并具有该第二导电型。第一掺杂区与第二掺杂区之间具有一间距。 |
申请公布号 |
TW201431070 |
申请公布日期 |
2014.08.01 |
申请号 |
TW102101936 |
申请日期 |
2013.01.18 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 |
发明人 |
陈履安;唐天浩 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/22(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
<name>吴丰任</name><name>戴俊彦</name> |
主权项 |
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地址 |
UNITED MICROELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |