发明名称 具有静电放电防护功效的电晶体结构;TRANSISTOR STRUCTURE FOR ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION
摘要 本发明揭露了一种具有静电放电防护功效的电晶体结构,包含有一基底、一掺杂井、一第一掺杂区、一第二掺杂区以及一第三掺杂区。掺杂井设置于基底中,且具有一第一导电型。第一掺杂区设置在基底中且被掺杂井包围,并具有第一导电型。第二掺杂区设置于基底中且被掺杂井包围,并具有一第二导电型。第三掺杂区设置于基底中且被掺杂井包围,并具有该第二导电型。第一掺杂区与第二掺杂区之间具有一间距。
申请公布号 TW201431070 申请公布日期 2014.08.01
申请号 TW102101936 申请日期 2013.01.18
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 陈履安;唐天浩
分类号 H01L29/78(2006.01);H01L21/22(2006.01) 主分类号 H01L29/78(2006.01)
代理机构 代理人 <name>吴丰任</name><name>戴俊彦</name>
主权项
地址 UNITED MICROELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号