半导体功率元件的制作方法;METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR POWER DEVICE

摘要

一种半导体功率元件的制作方法。先提供一半导体基底,具有复数个晶片区域以及晶片区域间的切割道区域。再于半导体基底上形成第一磊晶层。再于第一磊晶层表面形成硬遮罩层,于硬遮罩层中形成至少一开口,经由开口,蚀刻第一磊晶层,形成至少一沟槽,其中开口及沟槽横跨复数个晶片区域及切割道区域,使得沟槽的两端均不落在晶片区域内。接着去除硬遮罩层,再于沟槽中填满一第二磊晶层,并使第二磊晶层覆盖第一磊晶层。再将覆盖在第一磊晶层上的第二磊晶层研磨掉,显露出第一磊晶层。于第一及第二磊晶层上形成第三磊晶层。