发明名称 积体电路之序列储存电路
摘要 本发明提供用于积体电路之序列储存电路,其包含输入电路、一储存结构及输出电路。该输入电路接收对于该序列储存电路之一输入资料值,及产生一内部资料值。该输入电路接收一第一控制讯号,当确证(asserted)时造成其产生该输入资料值之一倒转版本成为内部资料值,及其当不确证时造成该输入电路产生该输入资料值成为内部资料值。该储存结构接着储存该内部资料值之一指示。该输出电路从储存在该储存结构中之内部资料值的指示,产生一用于从该序列储存电路输出之输出资料值。更特定言之,该输出电路接收一从该第一控制讯号导出之第二控制讯号,其造成该输出电路在该输入电路产生该输入资料值之一倒转版本成为内部资料值之事件中,产生该内部资料值之一倒转版本成为该输出资料值,及否则产生该内部资料值成为该输出资料值。此一机构提供一简单及有效技术,用于将储存结构中之应力建立(stress build-up)退火,其例如可产生成为NBTI现象之结果。亦可将本发明之技术用于其他目的,例如改进保持在此一序列储存电路内之资料的安全性。
申请公布号 TWI447740 申请公布日期 2014.08.01
申请号 TW098108080 申请日期 2009.03.12
申请人 ARM股份有限公司 英国 发明人 钱德维克斯;伊刚济萨青萨帝许
分类号 G11C7/22;G11C8/12 主分类号 G11C7/22
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 一种用于一积体电路之序列储存电路,其包含:输入电路,其系用于接收一对于该序列储存电路之输入资料值,及用于产生一内部资料值,该输入电路接收一第一控制讯号,其当确证时造成该输入电路产生该输入资料值之一倒转版本成为该内部资料值,及其当不确证时造成该输入电路产生该输入资料值成为该内部资料值;一储存结构,其用于储存该内部资料值之一指示;及输出电路,其用于从储存在该储存结构中之该内部资料值的该指示,产生一用于从该序列储存电路输出之输出资料值,该输出电路接收一从该第一控制讯号导出之第二控制讯号,其造成该输出电路在该输入电路产生该输入资料值之一倒转版本成为该内部资料值之事件中,产生该内部资料值之一倒转版本成为该输出资料值,及否则产生该内部资料值成为该输出资料值。
地址 英国
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