发明名称 半导体制程方法及半导体制程设备;SEMICONDUCTOR PROCESSING METHOD AND SEMICONDUCTOR PROCESSING APPARATUS
摘要 本发明系关于一种半导体制程方法,该方法包括:提供一半导体基板;探测前述半导体基板上之一表面区域,以判断前述表面区域是否具有多余的电荷;以及,根据是否存在多余的电荷,选择性地感应一电晕放电以减少前述多余的电荷。本发明亦提供其他技术。
申请公布号 TW201430902 申请公布日期 2014.08.01
申请号 TW102146357 申请日期 2013.12.16
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 吴林荣;许志修;杨棋铭
分类号 H01L21/02(2006.01);H01L21/66(2006.01) 主分类号 H01L21/02(2006.01)
代理机构 代理人 <name>洪澄文</name><name>颜锦顺</name>
主权项
地址 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号