发明名称 |
OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP ENCAPSULATED WITH AN ALD LAYER AND CORRESPONDING METHOD FOR PRODUCTION |
摘要 |
<p>Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit - einem Halbleiterkörper (40), der einen zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (42) umfasst, - eine erste Spiegelschicht (21), die zur Reflexion der elektromagnetischen Strahlung vorgesehen ist, - einer ersten Verkapselungsschicht (31), die mit einem elektrisch isolierenden Material gebildet ist, und - einem Träger (10), der dazu vorgesehen ist, die erste Verkapselungsschicht (31), die erste Spiegelschicht (21) und den Halbleiterkörper (40) mechanisch zu stützen, wobei - die erste Spiegelschicht (21) zwischen dem Träger (10) und dem Halbleiterkörper (40) angeordnet ist, - die erste Verkapselungsschicht (31) zwischen dem Träger (10) und der ersten Spiegelschicht (21) angeordnet ist, und - die erste Verkapselungsschicht (31) eine ALD-Schicht ist.</p> |
申请公布号 |
WO2014114524(A1) |
申请公布日期 |
2014.07.31 |
申请号 |
WO2014EP50574 |
申请日期 |
2014.01.14 |
申请人 |
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
发明人 |
EIBL, JOHANN;TAEGER, SEBASTIAN;HÖPPEL, LUTZ;ENGL, KARL;RAMMELSBERGER, STEFANIE;MAUTE, MARKUS;HUBER, MICHAEL;HARTMANN, RAINER;HARTUNG, GEORG |
分类号 |
H01L33/44;H01L33/00;H01L33/40 |
主分类号 |
H01L33/44 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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