| 摘要 |
<p>Siliziumwafer-Laserbearbeitungsverfahren zum Ausbilden einer verschlechterten Schicht (110) entlang von Unterteilungslinien (101), die auf einem Siliziumwafer (10), in dem Inneren des Siliziumwafers (10) durch Aufbringen oder Anwenden eines Laserstrahls entlang der Unterteilungslinien (101) ausgebildet werden, wobei die Wellenlänge des Laserstrahls auf 1.100 bis 2.000 nm festgelegt wird und ein Brennpunktdurchmesser des Laserstrahls in einem Bereich von 1,0 bis 3,0μm liegt und wobei die Wellenlänge des Laserstrahls auf 1.100 bis 2.000 nm derart festgelegt wird, dass eine Last (W), die für die Unterteilung des Siliziumwafers (10) entlang der Unterteilungslinien (101) erforderlich ist, weniger als eine Last ist, welche für eine Unterteilung des Siliziumwafers (10) entlang der Unterteilungslinien (101) erforderlich wäre, wenn ein Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 1.064 nm verwendet werden würde.</p> |
