| 摘要 |
Eine Halbleitereinrichtung, die mit einem Halbleitersubstrat, einer Metallkompositeschicht, und einem Erfassungsanschluss versehen ist, wird bereitgestellt. Die Metallkompositeschicht wird auf einer Oberfläche oder einer Rückfläche des Halbleitersubstrats gebildet, und hat eine erste Metallschicht und eine zweite Metallschicht, die mit der ersten Metallschicht verbunden ist und in einem Seebeck-Koeffizient verschieden von der ersten Metallschicht ist. Der Erfassungsanschluss kann eine Potentialdifferenz zwischen der ersten Metallschicht und der zweiten Metallschicht erfassen. |
