Rückwärts sperrende Halbleitervorrichtung, Halbleitervorrichtung mit lokaler Emittereffizienzmodifikation und Methode zur Herstellung einer rückwärtssperrenden Halbleitervorrichtung

摘要

Eine rückwärtssperrende Halbleitervorrichtung umfasst einen Basisbereich (120) eines ersten Leitungstyps und einen Bodybereich (115) eines zweiten, komplementären Leitungstyps, wobei der Basis- und der Bodybereich (120, 115) einen pn-Übergang bilden. Zwischen dem Basisbereich (120) und einer Kollektorelektrode (320) umfasst eine Emitterschicht (130) Emitterzonen (131) des zweiten Leitungstyps und mindestens einen Kanal (132) des ersten Leitungstyps. Der Kanal (132) erstreckt sich zwischen dem Basisbereich (120) und der Kollektorelektrode (320) durch die Emitterschicht (130) und verringert in einem vorwärts sperrenden Zustand den Vorwärtsleckstrom.