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Aktives Pixel mit einer Halbleiterschicht (5) mit einer Oberfläche (7) und Dotierungsmitteln eines ersten Leitfähigkeitstyps, wobei die Halbleiterschicht (5) einen ersten Bereich (1) und einen zweiten Bereich (2) umfasst, die beide Dotierungsmittel eines zweiten Leitfähigkeitstyps aufweisen, wobei der erste Bereich (1) zum Sammeln von Ladungsträgern in der Halbleiterschicht (5) gestaltet ist, die durch elektromagnetische Strahlung erzeugt werden, wobei die Fläche des ersten Bereichs eine Grenze aufweist, wobei der zweite Bereich zum Empfangen von in dem ersten Bereich gesammelten Ladungsträgern gestaltet ist, wobei die Halbleiterschicht (5) ferner einen dritten Bereich (3) mit Dotierungsmitteln des ersten Leitfähigkeitstyps mit einem erhöhten Dotierungsniveaus als die Halbleiterschicht (5) umfasst, wobei der dritte Bereich (3) eine Sperrschicht bildet, um Diffusion der Ladungsträger aus der Halbleiterschicht in den zweiten Bereich (2) zu verhindern, wobei der erste Bereich (1) entlang eines Teils seiner Grenze von dem dritten Bereich (3) durch eine Zone der Halbleiterschicht (5) getrennt ist, welche eine Ladungsträgerdiffusionsschicht an der Oberfläche (7) oder diese berührend aufweist. |
