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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bestimmen der Phasenlage an einer freien Grenzfläche (17) eines mit einer EUV-Strahlung reflektierenden Mehrlagen-Beschichtung (16) versehenen optischen Elements (13) und/oder zum Bestimmen der Dicke (d) einer auf der Mehrlagen-Beschichtung (16) gebildeten Kontaminationsschicht (26), umfassend: Bestrahlen der Mehrlagen-Beschichtung (16) mit EUV-Strahlung, Messen eines bei der Bestrahlung erzeugten Photostroms (IP), sowie Bestimmen der Phasenlage an der freien Grenzfläche (17) und/oder der Dicke (d) der Kontaminationsschicht (26) anhand einer vorgegebenen Beziehung zwischen der Phasenlage und/oder der Dicke (d) und dem gemessenen Photostrom (IP), wobei der gemessene Photostrom (IP) von der gesamten Wellenlängen- und Einfallswinkelverteilung der auf die Mehrlagen-Beschichtung (16) auftreffenden EUV-Strahlung erzeugt wird. Die Erfindung betrifft auch eine EUV-Lithographievorrichtung, umfassend: mindestens ein optisches Element (13), welches ein Substrat (15) und eine EUV-Strahlung reflektierende Mehrlagen-Beschichtung (16) aufweist, wobei das optische Element (13) zum Ableiten eines bei der Bestrahlung mit EUV-Strahlung erzeugten Photostroms (IP) mit einem Ladungsverstärker (20) in Kontakt steht. |
