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ESD-Halbleiterbauelement mit–einem in einen Halbleiterkörper (1) eingebetteten Bipolartransistor,–einem an einen Oberflächenbereich (3) des Halbleiterkörpers (1) angrenzenden Verdrahtungsbereich (2) mit einer eine bestimmte Schichtleitfähigkeit aufweisenden bestleitenden Metallisierungslage (15), wobei der Oberflächenbereich (3) durch eine erste Erstreckungsrichtung (X) sowie durch eine zweite Erstreckungsrichtung (Y,φ) aufgespannt ist, und ein Strom im ESD-Belastungsfall bei dessen Projektion auf den Oberflächenbereich entlang der ersten Erstreckungsrichtung (X) fließt, wobei–im ESD-Halbleiterbauelement zwischen eine Emitterzone (4) und eine Basiszone (5) ein Widerstand (6) geschaltet ist, der während eines ESD-Pulses eine Stromhomogenisierung entlang der zweiten Richtung (Y,φ) bewirkt und eine Schichtleitfähigkeit aufweist, die um wenigstens den Faktor 1000 kleiner ist als die bestimmte Schichtleitfähigkeit; und dass–im ESD-Halbleiterbauelement (1) eine leitende Verbindung durch den Verdrahtungsbereich (2) zur Emitterzone (4) mindestens teilweise über den Widerstand (6) geführt ist, so dass ein Strom aus oder in die Emitterzone (4) wenigstens teilweise über den Widerstand (6) fließt; und wobei–die Emitterzone (4) im Oberflächenbereich (3) eine bestimmte Ausdehnung entlang der zweiten Erstreckungsrichtung (Y,φ) aufweist, und dass–der Widerstand (6) im Oberflächenbereich (3) eine Ausdehnung entlang der zweiten Erstreckungsrichtung (Y,φ) besitzt,–wobei die Ausdehnung des Widerstands (6) entlang der zweiten Erstreckungsrichtung (Y,φ) mit der bestimmten Ausdehnung der Emitterzone (4) übereinstimmt. |
