发明名称 |
带有埋容的SIM卡及其移动终端 |
摘要 |
本实用新型公开了一种带有埋容的SIM卡及其移动终端,该带有埋容的SIM卡,包括:第一铜箔层、第二铜箔层和介质层,第一铜箔层位于所述介质层上表面,第二铜箔层位于所述介质层下表面;集成电路,布设在所述第一铜箔层上,且集成电路的管脚周围的第一铜箔层、第二铜箔层和介质层设置有通孔;埋容,设置在所述通孔中,与所述集成电路管脚连接。本实用新型中,集成电路的电源和电源地通过埋容进行滤波,由于该埋容的容值比较大,可以更好滤除SIM卡信号中低频噪声部分,强化了滤波效果,从而使SIM卡信号减小对无线信号的干扰,提高了无线信号接收性能。 |
申请公布号 |
CN203746105U |
申请公布日期 |
2014.07.30 |
申请号 |
CN201420078708.4 |
申请日期 |
2014.02.24 |
申请人 |
联想(北京)有限公司 |
发明人 |
石彬 |
分类号 |
G06K19/077(2006.01)I |
主分类号 |
G06K19/077(2006.01)I |
代理机构 |
北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 |
代理人 |
王伟锋;刘铁生 |
主权项 |
一种带有埋容的SIM卡,其特征在于,包括:第一铜箔层、第二铜箔层和介质层,所述第一铜箔层位于所述介质层上表面,所述第二铜箔层位于所述介质层下表面;集成电路,布设在所述第一铜箔层上,且所述集成电路的管脚周围的第一铜箔层、第二铜箔层和介质层设置有通孔;埋容,设置在所述通孔中,与所述集成电路管脚连接。 |
地址 |
100085 北京市海淀区上地信息产业基地创业路6号 |