堆叠式发光二极管阵列结构

摘要

本发明提供一种堆叠式发光二极管阵列结构，包括一基板及多个依序堆叠于基板之上的发光二极管裸晶，每一发光二极管裸晶包括一第一半导体层及一第二半导体层，第一半导体层之上设置有一第一电极及叠设有第二半导体层，而第二半导体层之上设置有一第二电极及叠设有另一发光二极管裸晶的第一半导体层，每一发光二极管裸晶的第二电极通过一金属层与另一发光二极管裸晶的第一电极连接以串接成一发光二极管阵列，则，利用堆叠方式将多个发光二极管裸晶叠设成一发光二极管阵列，不仅容易进行制作且有效降低整体发光二极管阵列的设置体积。

主权项

一种堆叠式发光二极管阵列结构，其特征在于，包括：一基板，其表面设置一第一电位垫及一第二电位垫；多个发光二极管裸晶，依序堆叠于基板之上，每一发光二极管裸晶分别包括：一第一半导体层；及一第二半导体层，其中第一半导体层的上表面设置有一第一电极及叠设有第二半导体层，而第二半导体层的上表面设置有一第二电极及/或叠设另一个发光二极管的第一半导体层；及至少一金属层，每一发光二极管裸晶的第二电极通过对应的金属层与另一发光二极管裸晶的第一电极进行连接，以串接成一发光二极管阵列；其中，堆叠在最下方的第一半导体层的第一电极通过一金属线连接至基板的第一电位垫，堆叠在最上方的第二半导体层的第二电极通过另一金属线连接至基板的第二电位垫。