| 发明名称 | 形成镍硅化物的方法、半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了具有镍铟硅化物的半导体器件、形成镍铟硅化物的方法以及形成具有镍铟硅化物的半导体器件的方法，利用了金属镍和铟容易形成合金化合物的特点，在镍金属层中注入金属铟，然后经热退火工艺形成镍铟硅化物；镍铟硅化物不仅具有较低的电阻率，而且具有较低的耗硅量，从而可以提高器件的电参数；采用本发明的方法，不仅有效地克服了现有工艺中金属镍和氧易发生反应的问题，而且还避免了采用钛金属覆盖层的工艺导致器件漏电现象的发生，从而有效地提高了器件的电参数；同时，本发明的方法，可以与传统的体硅工艺相兼容，降低了生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN103956378A | 申请公布日期 | 2014.07.30 |
| 申请号 | CN201410174827.4 | 申请日期 | 2014.04.28 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 曾绍海 |
| 分类号 | H01L29/45(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/45(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人 | 吴世华;林彦之 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，包括：一半导体衬底；多个栅极结构，位于所述半导体衬底上；多个掺杂区域，位于所述半导体衬底中；以及多个镍铟硅化物，分别位于所述栅极结构的顶部和/或所述掺杂区域的表面。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 | ||