透明导电薄膜及其制备方法、磁控溅射装置

摘要

本发明公开了一种透明导电薄膜及其制备方法和磁控溅射装置，透明导电薄膜的制备方法包括如下步骤：预备磁控溅射设备、靶材和衬底；所述靶材是掺杂有ZnF₂的ZnO陶瓷靶材，ZnF₂的质量占所述靶材的总质量的0.1％～1％；为衬底建立相对于靶材的、大小为60V～300V的负电势；以及通入工艺气体，开启磁控溅射，在衬底上沉积透明导电薄膜。这种透明导电薄膜的制备方法，在透明导电薄膜的沉积过程中，通过在衬底的背面设置相对于大地具有60V～300V的负电势的背电极，形成稳定的逆向电场，阻止高能O^-离子对已沉积薄膜的轰击。相对于传统透明导电薄膜的制备方法，这种透明导电薄膜的制备方法，可以制备得到质量较好的透明导电薄膜。

主权项

一种透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电薄膜是氢氟共掺杂的氧化锌基晶体，其中ZnF₂的质量占所述透明导电薄膜的总质量的0.1％～1％。