清洗多晶硅块的方法

摘要

本发明涉及清洗多晶硅块的方法。本发明涉及在酸性清洗浴中清洗多晶硅块的方法，其中所述清洗包括几个清洗循环，其中在每个清洗循环中消耗特定量的酸，其中使用计算机控制的计量系统的积分仪累加每个清洗循环中消耗的那些酸用量而得到清洗浴中酸的当前总耗量，其中，一旦达到清洗浴中对应于计量系统最佳计量的总酸耗量，则计量系统就将从储液池容器中排出的该最佳计量的未消耗酸供给清洗浴。本发明也涉及在含有酸进行循环的酸回路的酸性清洗浴中清洗多晶硅块的方法，其中以升计的循环酸量与清洗浴中以kg计存在的多晶硅块质量之比大于10。本发明能够确保以更精确的计量实现操作稳定性，经济上也比已知方法更为可行。

主权项

一种在酸性清洗浴中清洗多晶硅块的方法，所述酸性清洗浴包括酸进行循环的酸回路，其中以升计的循环酸量与清洗浴中以kg计存在的多晶硅块质量之比大于10，其中所述清洗包括几个清洗循环，其中在每个清洗循环中消耗特定量的酸，其中每个清洗循环的酸耗量记录在计算机控制的计量系统中作为参数，其中所述计量系统的积分仪用于累加每个清洗循环中消耗的那些酸用量而得到所述清洗浴中酸的总耗量，其中，一旦达到5‑30升的所述清洗浴中的总酸耗量，则所述计量系统就将从储液池容器中抽出对应于所述清洗浴中的总酸耗量的未消耗酸的量并且将所述未消耗酸供给所述清洗浴。