一种复合图形化衬底及其制备方法

摘要

本发明涉及一种复合图形化衬底及其制备方法，复合图形化衬底包括蓝宝石晶片，所述晶片表面的图形根部外接圆的直径与相邻两图形中心点之间距离的最大比值为0.95，各图形上部表面暴露，各图形根部之间沉积有厚度为15-35nm的AlN层。该复合图形化衬底及其制备方法，既保留的蓝宝石图形衬底的优势，此外，通过在图形衬底的下面引入一层和GaN材料晶格失配较低的AlN，有效的提高了后期衬底在使用过程中GaN形核质量从而提高GaN生长质量，另外，还可以有效提高MOCVD的使用效率，提高产能。

主权项

一种复合图形化衬底，它包括蓝宝石晶片，所述晶片表面的图形根部外接圆的直径与相邻两图形中心点之间距离的最大比值为0.95，其特征在于：各图形上部表面暴露，各图形根部之间沉积有厚度为15‑35nm的AlN层。