| 发明名称 | 沟槽式功率金氧半场效晶体管 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种沟槽式功率金氧半场效晶体管，沟槽式功率金氧半场效晶体管的栅极包括一上掺杂区与一下掺杂区，而形成一PN结(PN junction)。如此，当沟槽式功率金氧半场效晶体管工作时，PN结所形成的接面电容可和栅极/漏极之间的电容串联，而使栅极/漏极的等效电容降低。 | ||
| 申请公布号 | CN203746863U | 申请公布日期 | 2014.07.30 |
| 申请号 | CN201420127857.5 | 申请日期 | 2014.03.20 |
| 申请人 | 帅群微电子股份有限公司 | 发明人 | 许修文 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/80(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 姚垚;张荣彦 |
| 主权项 | 一种沟槽式功率金氧半场效晶体管，其特征在于，包括：一基材；一磊晶层，形成于该基材上方；以及多个沟槽式晶体管单元，形成于该磊晶层中，其中各该沟槽式晶体管单元包括一沟槽栅极结构，该沟槽栅极结构包括：一沟槽，形成于该磊晶层中，该沟槽的内侧壁形成有一绝缘层；以及一栅极，形成于该沟槽内，其中该栅极包括一上掺杂区与一下掺杂区，以形成一PN结。 | ||
| 地址 | 中国台湾新北市 | ||