| 发明名称 | 一种沟槽功率器件结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种沟槽功率器件结构及其制造方法，其中沟槽功率器件结构，包括有源区和终端两部分结构，有源区最外围一圈沟槽开始直到器件边缘，沟槽设于第一层光刻版上，第二层光刻版上设有LOCOS区域，第二层光刻版上设有接触孔，第四层光刻版上设有源极与栅极；本发明采取沟槽隔离与LOCOS相结合。本发明基于各种终端结构的优点，使得本发明的工艺简单，成本低廉，占用面积非常少且具有很宽的电压适应范围等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN103956382A | 申请公布日期 | 2014.07.30 |
| 申请号 | CN201410165169.2 | 申请日期 | 2014.04.16 |
| 申请人 | 常州旺童半导体科技有限公司 | 发明人 | 孙效中;沈志伟;吴江;郑迎新 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种沟槽功率器件结构，包括有源区和终端两部分结构，其特征在于，有源区最外围一圈沟槽开始直到器件边缘，沟槽设于第一层光刻版上，第二层光刻版上设有LOCOS区域，第二层光刻版上设有接触孔，第四层光刻版上设有源极与栅极。 | ||
| 地址 | 213000 江苏省常州市武进区常武中路801号科教城创研港3-B503 | ||