存储器器件

摘要

本实用新型公开了一种存储器器件，可以包括半导体衬底和在半导体衬底中的存储器晶体管。存储器晶体管可以包括在半导体衬底中的源极区域和漏极区域、以及在源极区域和漏极区域之间的沟道区域、以及栅极堆叠。栅极堆叠可以包括在沟道区域之上的第一电介质层、在第一电介质层之上的第一扩散阻挡层、在第一扩散阻挡层之上的第一导电层、在第一导电层之上的第二电介质层、在第二电介质层之上的第二扩散阻挡层和在第二扩散阻挡层之上的第二导电层。第一电介质层和第二电介质层可以包括不同电介质材料，并且第一扩散阻挡层可以比第二扩散阻挡层更薄。

主权项

一种存储器器件，其特征在于，包括： 半导体衬底；以及 至少一个存储器晶体管，在所述半导体衬底中并且包括： 在所述半导体衬底中的源极区域和漏极区域以及在所述源极区域和所述漏极区域之间的沟道区域，以及 栅极堆叠，包括在所述沟道区域之上的第一电介质层、在所述第一电介质层之上的第一扩散阻挡层、在所述第一扩散阻挡层之上的第一导电层、在所述第一导电层之上的第二电介质层、在所述第二电介质层之上的第二扩散阻挡层和在所述第二扩散阻挡层之上的第二导电层； 所述第一电介质层和所述第二电介质层包括不同电介质材料，并且所述第一扩散阻挡层比所述第二扩散阻挡层更薄。