发明名称 |
基于中通孔制作方法的TSV、M1、CT金属层一次成型方法 |
摘要 |
本发明公开了一种基于中通孔制作方法的TSV、M1、CT金属层一次成型方法,包括TSV的光刻和蚀刻,TSV光刻胶的去除和清洗;进行表面平坦化处理之后沉积接触孔CT氧化层;TSV绝缘层氧化物沉积;第一次BARC填充及刻蚀;接触孔CT光刻和蚀刻;接触孔CT光刻胶的去除和清洗;第二次BARC填充及刻蚀;金属线层M1的光刻和蚀刻;扩散阻挡层和种子层的沉积;金属导电物的填充;表面平坦化处理的步骤。本发明能够同时实现接触孔CT、硅通孔TSV和金属线层制作过程中扩散阻挡层、种子层、金属填充物的同步完成以及一次性平坦化处理,不仅提高了材料的利用率,降低了生产成本,还提高了生产效率。 |
申请公布号 |
CN103956333A |
申请公布日期 |
2014.07.30 |
申请号 |
CN201410191709.4 |
申请日期 |
2014.05.07 |
申请人 |
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
发明人 |
李恒甫;张文奇 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 |
代理人 |
任益 |
主权项 |
基于中通孔制作方法的TSV、M1、CT金属层一次成型方法,其特征在于主要包括以下步骤:步骤一:TSV的光刻和蚀刻,TSV光刻胶的去除和清洗;步骤二:进行表面平坦化处理之后沉积接触孔CT氧化层;步骤三:TSV 绝缘层氧化物沉积;步骤四:第一次 BARC 填充及刻蚀;步骤五:接触孔CT光刻和蚀刻;步骤六:接触孔CT光刻胶的去除和清洗;步骤七:第二次BARC 填充及刻蚀;步骤八:金属线层M1的光刻和蚀刻;步骤九:扩散阻挡层和种子层的沉积;步骤十:金属导电物的填充;步骤十一:表面平坦化处理。 |
地址 |
214135 江苏省无锡市菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋 |