LED外延层生长方法及LED外延层

摘要

本发明提供了一种提高P层Mg激活效率的LED外延层生长方法及制得的LED外延层，生长方法中的生长P型GaN层步骤为：在温度930-950℃，压力200-600mbar的反应室内，重复间隔性地通入A、B两组原料，直至P型GaN层的厚度为100-300nm；A组原料为NH₃、TMGa和Cp₂Mg源，生成5-20nmnm的GaN：Mg层；B组原料为NH₃、TMGa、Cp₂Mg和SiH₄，生成5-10nm的掺Mg和Si的GaN层。本发明通过调整P型GaN层生长方式，将高温P型GaN层设计为GaN：Mg和GaN：Mg/Si层超晶格，改善空穴迁移率，降低驱动电压，提高空穴对发光层的注入，增加器件的发光效率。

主权项

一种LED外延层生长方法，依次包括处理衬底、生长低温缓冲GaN层、生长非掺杂GaN层、生长掺Si的GaN层、生长有缘层MQW、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层步骤，其特征在于，所述生长P型GaN层步骤为：在温度为950‑1100℃，反应腔压力在200‑600mbar的反应室内，重复间隔性地通入A、B两组原料，直至P型GaN层的厚度为100‑300nm；其中，A组原料为50000‑60000sccm的NH₃、20‑40sccm的TMGa源、1500‑2500sccm的Cp₂Mg源，生成厚度为5‑20nm的GaN层；B组原料为50000‑60000sccm的NH3、20‑40sccm的TMGa、1500‑2500sccm的Cp₂Mg源、5‑15sccm的SiH₄，生成厚度为5‑10nm的掺Mg和Si的GaN层，Mg的掺杂浓度为1E+19‑1E+20atom/cm³，Si的掺杂浓度1E+17‑1E+18atom/cm³。