发明名称 |
一种原子层薄膜沉积进气装置 |
摘要 |
本实用新型涉及原子层薄膜沉积技术领域,公开了一种原子层薄膜沉积进气装置。该原子层薄膜沉积进气装置包括:接头、接管和第一导流管;所述接管分别与所述第一接头和所述第一导流管连通,所述第一导流管两端分别安装有第一堵盖和第二堵盖,所述第一导流管的下部沿其轴向分别开有多个第一排气孔。本实用新型所提供的原子层薄膜沉积进气装置通过多个排气孔的设置,使得进气装置适用于多硅片批量处理,大幅增加了单位时间内的硅片产能,减弱了第一导流管和第二导流管的气场涡流,进一步的,卡套和第二接头通过螺纹连接可以根据不同的工艺需求,任意调节第一导流管的第一排气孔在反应腔室中的气流喷射方向,结构简单,加工成本低。 |
申请公布号 |
CN203741412U |
申请公布日期 |
2014.07.30 |
申请号 |
CN201420031395.7 |
申请日期 |
2014.01.17 |
申请人 |
北京七星华创电子股份有限公司 |
发明人 |
潘龙;陈添明;彭文芳 |
分类号 |
C23C16/455(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/455(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
孟宪功 |
主权项 |
一种原子层薄膜沉积进气装置,其特征在于,包括:第一接头(1)、接管和第一导流管(9);所述接管分别与所述第一接头(1)和所述第一导流管(9)连通,所述第一导流管(9)两端分别安装有第一堵盖(8)和第二堵盖(11),所述第一导流管(9)的下部沿其轴向分别开有多个第一排气孔。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M2楼2层 |