| 发明名称 | 半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 根据一个实施例，公开了一种半导体器件制造方法。所述方法可包括：通过将半导体衬底上的膜压向抛光垫而抛光所述膜。抛光所述膜包括进行第一抛光，其中所述抛光垫的入口温度被调整为大于等于40℃且小于等于50℃，并且所述抛光垫的出口温度被调整为比所述入口温度高5℃或更高。抛光所述膜包括进行第二抛光，其中所述入口温度被调整为小于等于30℃，并且所述出口温度被调整为比所述入口温度高5℃或更高。 | ||
| 申请公布号 | CN102376565B | 申请公布日期 | 2014.07.30 |
| 申请号 | CN201110222413.0 | 申请日期 | 2011.08.04 |
| 申请人 | 株式会社 东芝 | 发明人 | 南幅学;松井之辉;仓嶋延行;江田元 |
| 分类号 | H01L21/321(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/321(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 杨晓光;于静 |
| 主权项 | 一种半导体器件制造方法，包括：通过将半导体衬底上的膜压向沿预定方向旋转的抛光垫而抛光所述膜；其中抛光被处理的所述膜包括：进行第一抛光，在所述第一抛光中，将第一表面温度调整为大于等于40℃且小于等于50℃，并且将第二表面温度调整为比所述第一表面温度高5℃或更高，所述第一表面温度是沿所述旋转方向所述膜上游侧的所述抛光垫的表面温度，所述第二表面温度是沿所述旋转方向所述膜下游侧的所述抛光垫的表面温度；以及进行第二抛光，在所述第二抛光中，所述第一表面温度被调整为小于等于30℃，并且所述第二表面温度被调整为比所述第一表面温度高5℃或更高，其中所述第一表面温度和所述第二表面温度为在与所述半导体衬底相距预定距离的位置中在这样的圆轨道上的所述抛光垫的温度，该圆轨道通过所述半导体衬底的中心并与所述抛光垫的旋转轴相距预定距离。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||