肖特基二极管半导体器件及其制备方法

摘要

本发明涉及一种用于整流器的二极管分离器件，更确切的说，本发明旨在提供一种带有沟槽结构的肖特基二极管半导体器件及制备方法。沟槽包括沟槽上部和沟槽下部，填充有导电材料，肖特基势垒金属覆盖于衬底上表面和覆盖在沟槽上方，在沟槽上部和沟槽下部各自的内壁上内衬有绝缘层，并且沟槽下部以旁向膨胀的方式至其侧壁凸出于沟槽上部沿垂直方向延伸的侧壁。

主权项

一种肖特基二极管半导体器件，其特征在于，包括：形成在衬底中的沟槽，所述沟槽包括沟槽上部和沟槽下部；填充在沟槽内的导电材料；覆盖于衬底上表面和覆盖在沟槽上方的肖特基势垒金属层；其中，在沟槽上部和沟槽下部各自的内壁上内衬有绝缘层，并且沟槽下部以旁向膨胀的方式至其侧壁凸出于沟槽上部沿垂直方向延伸的侧壁。