基于图形化高能离子注入的低衬底损耗硅基集成电路及其制作方法

摘要

本发明公开了一种基于图形化高能离子注入的低衬底损耗硅基集成电路及其制作方法，主要解决了现有技术中存在的硅基集成电路存在严重的衬底损耗，导致器件的工作频率降低的问题。其包括图形化的硅基衬底及按照硅基工艺制作在该硅基衬底上的硅基集成电路，所述硅基衬底包括低阻硅基衬底和完成硅基集成电路制作后利用图形化的高能离子从低阻硅基衬底底部注入实现高阻改性的高阻硅基衬底，所述低阻硅基衬底位于硅基集成电路中硅基有源器件下方，所述高阻硅基衬底位于硅基集成电路中硅基无源器件下方。通过上述方案，本发明达到了低成本、低衬底损耗、高集成度、高性能的目的，具有很高的实用价值和推广价值。

主权项

基于图形化高能离子注入的低衬底损耗硅基集成电路，包括图形化的硅基衬底及按照硅基工艺制作在该硅基衬底上的硅基集成电路（22），其特征在于，所述硅基衬底包括低阻硅基衬底（21）和完成硅基集成电路（22）制作后利用图形化的高能离子从低阻硅基衬底（21）底部注入实现高阻改性的高阻硅基衬底（25），所述低阻硅基衬底（21）位于硅基集成电路（22）中硅基有源器件（24）下方，所述高阻硅基衬底（25）位于硅基集成电路（22）中硅基无源器件（23）下方。