具有外延自对准光传感器的图像传感器

摘要

一种图像传感器像素包括经掺杂而具有第一导电型的衬底。第一外延层置于该衬底之上且经掺杂而亦具有该第一导电型。转移晶体管栅极形成于该第一外延层上。外延生长的光传感器区域置于该第一外延层中且具有第二导电型。该外延生长的光传感器区域包括在转移晶体管栅极的一部分下延伸的延伸区域。

主权项

一种图像传感器像素，包括：衬底，其经掺杂而具有第一导电型；第一外延层，其置于所述衬底之上且经掺杂而具有所述第一导电型，所述第一外延层具有延伸到所述第一外延层中的内凹，其中所述第一外延层接触所述衬底；转移晶体管栅极，其置于所述第一外延层之上且邻近所述第一外延层中的所述内凹，其中所述内凹的一部分在所述转移晶体管栅极的一部分下延伸；及由第二外延层形成的外延生长的光传感器区域，所述外延生长的光传感器区域具有与所述第一导电型相反的第二导电型，其中所述外延生长的光传感器区域置于所述第一外延层的所述内凹内且包括在所述转移晶体管栅极的所述一部分下延伸的延伸区域，其中具有所述第二导电型的所述外延生长的光传感器区域升至高于所述第一外延层的顶部并且在置于所述第一外延层之上的所述转移晶体管栅极的底部上方延伸。