发明名称 |
一种磁控管及应用该磁控管的薄膜沉积处理设备 |
摘要 |
本发明提供一种磁控管,包括中心磁控分区、边缘磁控分区以及驱动机构,该驱动机构可同步或独立地驱动上述中心磁控分区和边缘磁控分区中的磁体组,并使上述磁体组在各自的磁控分区中按照预定的轨迹运行。本发明提供的磁控管可有效提高整个靶材区域,尤其是边缘区域的金属原子离化率,从而提高基片边缘区域的孔隙填充的均匀性。此外,本发明还提供一种应用上述磁控管的薄膜沉积处理设备。 |
申请公布号 |
CN102315064B |
申请公布日期 |
2014.07.30 |
申请号 |
CN201010224956.1 |
申请日期 |
2010.07.02 |
申请人 |
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
发明人 |
杨柏 |
分类号 |
H01J25/50(2006.01)I;H01J37/34(2006.01)I |
主分类号 |
H01J25/50(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
张天舒;陈源 |
主权项 |
一种磁控管,用于在靶材表面形成均匀分布的磁场,其特征在于,所述磁控管包括:中心磁控分区,其具有对应于靶材中心区域而施加磁场的中心磁体组;边缘磁控分区,其围绕所述中心磁控分区而设置,具有对应于靶材边缘区域而施加磁场的边缘磁体组;驱动机构,其包括与所述中心磁体组相连接的中心驱动机构和与所述边缘磁体组相连接的边缘驱动机构,所述中心驱动机构和边缘驱动机构可同步或独立地驱动所述中心磁体组和边缘磁体组在各自的磁控分区内沿预定的轨迹运动,以分别在所述靶材的中心区域和边缘区域形成均匀分布的磁场。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼南二层 |