| 发明名称 |
一种氮化镓基发光二极管 |
| 摘要 |
一种氮化镓基发光二极管，涉及光电技术领域。本实用新型氮化镓基发光二极管包括衬底以及置于衬底上方依次由N型GaN层、发光层、P型GaN层和透明导电层组成的发光结构。在透明导电层上置有P型电极。其结构特点是，所述衬底底部开设孔直至N型GaN层，在所述孔内设有N型电极置于N型GaN层下底面。同现有技术相比，本实用新型通过在衬底底部开孔安置N型电极，减少发光区刻蚀损伤，增加发光区面积来提升光效。 |
| 申请公布号 |
CN203746891U |
申请公布日期 |
2014.07.30 |
| 申请号 |
CN201420081947.5 |
申请日期 |
2014.02.26 |
| 申请人 |
南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司 |
发明人 |
董发;李志翔;吴东海;詹润滋 |
| 分类号 |
H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/38(2010.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种氮化镓基发光二极管，它包括衬底（1）以及置于衬底（1）上方依次由N型GaN层（2）、发光层（3）、P型GaN层（4）和透明导电层（5）组成的发光结构，在透明导电层（5）上置有P型电极（6），其特征在于：所述衬底（1）底部开设孔直至N型GaN层（2），在所述孔内设有N型电极（7）置于N型GaN层（2）下底面。 |
| 地址 |
100083 北京市海淀区清华同方科技广场A座29层 |
