| 发明名称 | 用于接触半导体的方法和用于半导体的接触组件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于接触半导体（10）的方法以及一种用于半导体（10）的接触组件（1），其中，所述半导体（10）在至少一个第一面处通过形成具有预定厚度的第一焊接层（30）与第一接触副（20）面式地相连接。根据本发明，在所述半导体（10）上施加聚酰亚胺层（14）作为限制介质，其预定了所述半导体（10）的至少一个焊接面（12）的尺寸和/或形状。 | ||
| 申请公布号 | CN103959449A | 申请公布日期 | 2014.07.30 |
| 申请号 | CN201280057174.0 | 申请日期 | 2012.11.20 |
| 申请人 | 罗伯特·博世有限公司 | 发明人 | E·聚斯克;E·盖尼兹;G·布劳恩 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 苏娟;马飞 |
| 主权项 | 一种用于接触半导体的方法，其中，所述半导体（10、10'、10"）在至少一个第一面处通过形成具有预定厚度（LD）的第一焊接层（30、32'、34'、36'、30"、80"）与至少一个第一接触副（20、20'、20"、60"）面式地相连接，其特征在于，在所述半导体（10、10'、10"）上施加耐焊接的层（14、14'、14"、18'）作为限制介质，所述耐焊接的层预定了所述半导体（10、10'、10"）的至少一个焊接面（12、12'、12"）的尺寸和/或形状。 | ||
| 地址 | 德国斯图加特 | ||