发明名称 | 一种具有高电源抑制比的带隙基准电路 | ||
摘要 | 本发明公开了一种具有高电源抑制比的带隙基准电路,包含带隙基准核心电路和隔离电源扰动的电流镜,可以减少电源扰动到带隙基准输出耦合路径的数目,增大电源扰动到带隙基准输出耦合路径上的衰减,并采用电源扰动经过衰减的局部电源给差分运算放大器供电有效提高了电源抑制比。 | ||
申请公布号 | CN103955250A | 申请公布日期 | 2014.07.30 |
申请号 | CN201410101126.8 | 申请日期 | 2014.03.18 |
申请人 | 尚睿微电子(上海)有限公司 | 发明人 | 马军 |
分类号 | G05F1/46(2006.01)I | 主分类号 | G05F1/46(2006.01)I |
代理机构 | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人 | 竺云;成春荣 |
主权项 | 一种具有高电源抑制比的带隙基准电路,其特征在于,至少包括: 带隙基准核心电路(1); 隔离电源扰动的电流镜(2)。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区碧波路500号203室 |