发明名称 |
光波导的外延制备方法 |
摘要 |
本发明公开了光波导的外延制备方法,包括在所述脊上沉积硅岛。在一些实施例中,硅岛的制作可以采用选择性外延方法或常规外延方法。在一些实施例中,第二个硅岛在第一硅岛上沉积。在一些实施例中,多个硅岛分别采用不同的方法制作。 |
申请公布号 |
CN102213795B |
申请公布日期 |
2014.07.30 |
申请号 |
CN201110094997.8 |
申请日期 |
2011.04.15 |
申请人 |
上海圭光科技有限公司 |
发明人 |
李冰;李小刚;王浙辉 |
分类号 |
G02B6/13(2006.01)I |
主分类号 |
G02B6/13(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种光波导的选择性外延制备方法,所述光波导为脊波导上形成第一硅岛,所述制备方法包括以下步骤:一个包括顶硅层的起始硅片,通过光刻、刻蚀的方法或者下面描述的选择性外延的方法形成带脊的硅片;在所述带脊硅片的上表面沉积氧化层,所述氧化层的高度高于或等于所述光波导的第一硅岛高度;去除所述氧化层的一部分,从而在所述脊上形成立体三维的第一窗口;用选择性外延方法在所述第一窗口内沉积第一硅层,所述第一窗口的侧壁约束了所述第一硅层的生长,所述第一硅层构成位于所述脊上的第一硅岛的母体;对所述第一硅层的上表面进行平坦化处理,使得所述第一硅层的高度等于所述第一硅岛的高度,从而得到所述第一硅岛。 |
地址 |
200433 上海市国定路335号2号楼1611室 |