发明名称 透明导电多层电极及相关制造方法
摘要 本发明涉及透明导电多层电极,其包括基底层(1)、粘接层(2)、金属纳米线(3)的逾渗网络、以及电均化层(4),所述电均化层(4)包含:具有低于20℃的玻璃化转变温度Tg的弹性体;和/或具有低于20℃的玻璃化转变温度的热塑性材料;和/或聚合物;导电的、任选地被取代的聚噻吩;以及,导电或半导电的纳米级填料。
申请公布号 CN103959500A 申请公布日期 2014.07.30
申请号 CN201280043100.1 申请日期 2012.07.02
申请人 哈钦森公司 发明人 S.罗杰;M.迪尤唐尼;G.吉钱尼;P.桑塔格
分类号 H01L51/44(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01B1/22(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H05B33/28(2006.01)I;B22F1/00(2006.01)I;B82Y30/00(2006.01)I 主分类号 H01L51/44(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 凌志军
主权项 多层透明导电电极,包括基底层(1)、粘接层(2)、金属纳米长丝(3)的逾渗网络以及电均化层(4),特征在于所述电均化层(4)包含:‑具有小于20℃的玻璃化转变温度Tg的弹性体和/或具有小于20℃的玻璃化转变温度Tg的热塑性聚合物和/或聚合物,‑任选地被取代的聚噻吩导电聚合物,和‑导电或半导电纳米填料。
地址 法国巴黎