| 发明名称 | 一种基于石墨烯的低损耗介质移相器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于石墨烯的低损耗介质移相器，包括衬底、导体组件及电介质层，所述电介质层位于衬底的上方，所述导体组件采用石墨烯制作而成。本发明具有结构简单紧凑、制作简便、能够实现低能量损耗、大相移度、低成本、阻抗自匹配等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN103956538A | 申请公布日期 | 2014.07.30 |
| 申请号 | CN201410176427.7 | 申请日期 | 2014.04.29 |
| 申请人 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 发明人 | 陈书明;张金英;宁希;池雅庆;梁斌 |
| 分类号 | H01P1/18(2006.01)I | 主分类号 | H01P1/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人 | 周长清 |
| 主权项 | 一种基于石墨烯的低损耗介质移相器，包括衬底（4）、导体组件及电介质层（2），所述电介质层（2）位于衬底（4）的上方，其特征在于，所述导体组件采用石墨烯制作而成。 | ||
| 地址 | 410073 湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号中国人民解放军国防科学技术大学计算机学院微电子与微处理器研究所 | ||