一种光电探测器制备方法及制备的广角光电探测器

摘要

本发明公开了一种光电探测器的制备方法，包括如下步骤：在光电探测器结构的光敏面内生长一层p-GaN作为过渡层；在所述过渡层上生长一层p-GaN作为再构结构的晶籽层；在生长完晶籽层后快速升温生长一层p-GaN，形成再构光敏面。本发明的有益效果在于：提供了一种广角光电探测器的制备方法，高效可靠，通过在光电探测器表面再构，打破菲涅尔反射系数入射角的限制，降低对入射波长的敏感度，不需加入额外的系统，仅通过单个光电探测器实现广角探测。

主权项

一种光电探测器的制备方法，其特征在于：包括如下步骤，过渡层制备步骤，在光电探测器结构（203）的光敏面（202）内以800‑1200℃生长一层200nm的p‑GaN，作为过渡层（204）；晶籽层制备步骤，在所述过渡层（204）上以600‑900℃生长一层50nm的p‑GaN，作为再构结构的晶籽层（205）；再构步骤，在生长完晶籽层（205）后快速升温，以950‑1200℃生长一层150nm的p‑GaN，形成再构光敏面（202）。