发明名称 |
一种MEMS传感器封装结构及其封装方法 |
摘要 |
本发明涉及一种MEMS传感器封装结构及其封装方法,其用于封装MEMS传感器,其特征在于,包括:陶瓷基座,所述陶瓷基座的顶层及底层分别设置有多个金属焊盘;所述陶瓷基座顶层的金属焊盘与MEMS传感器的引线连接,所述MEMS传感器设置在所述陶瓷基座上,所述陶瓷基座底层的金属焊盘与外部电路连接;所述陶瓷基座为至少一层垂直互联结构;一侧壁和顶盖,皆由可伐合金制成。本发明通过选择使用与MEMS传感器材料热膨胀系数接近的陶瓷基座作为封装材料,降低了基座膨胀应力对MEMS传感器的影响,同时利用陶瓷基座实现至少一层垂直互联,可在较小面积内实现MEMS传感器与外围电路的系统级集成,实现高密度系统级封装,实现MEMS传感器的封装灵活性和可拓展性。 |
申请公布号 |
CN103950886A |
申请公布日期 |
2014.07.30 |
申请号 |
CN201410183524.9 |
申请日期 |
2014.04.30 |
申请人 |
中国科学院地质与地球物理研究所 |
发明人 |
薛旭;郭士超 |
分类号 |
B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;G01P15/125(2006.01)I |
主分类号 |
B81B7/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 |
代理人 |
林建军 |
主权项 |
一种MEMS传感器封装结构,其特征在于,所述封装结构包括:陶瓷基座,所述陶瓷基座的顶层及底层分别设置有多个金属焊盘;所述陶瓷基座顶层的金属焊盘与MEMS传感器的引线连接,所述MEMS传感器设置在所述陶瓷基座上,所述陶瓷基座底层的金属焊盘与外部电路连接;所述陶瓷基座为至少一层垂直互联结构;一侧壁,由可伐合金制成,所述侧壁位于所述陶瓷基座上,与所述陶瓷基座连接;一顶盖,由可伐合金制成,所述顶盖与所述侧壁连接。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路19号 |