| 发明名称 | 一种阶梯式沟槽MOS肖特基二极管器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种阶梯式沟槽MOS肖特基二极管器件，包括N+半导体衬底；N-外延层，位于N+半导体衬底上；N-外延层上加工阶梯状的沟槽结构；梯形沟槽内壁生长氧化层；N-外延层上及沟槽内生长肖特基接触的阳极金属；N+衬底下面生长欧姆接触的阴极金属。所述的沟槽结构是由两个直角沟槽形成阶梯状沟槽；即N-外延层的截面为周期性排列的凸出状。将传统TMBS里面的直角沟槽的上部沟槽宽度变宽，这样能有效的调节沟槽中不同部位的电场耦合作用，从而调节沟槽中间有源区不同深度处电场强度。使用该结构可以保持在击穿电压不减小、正向导通电压只是略有增加的情况下，实现漏电的大幅降低。 | ||
| 申请公布号 | CN103956389A | 申请公布日期 | 2014.07.30 |
| 申请号 | CN201410148707.7 | 申请日期 | 2014.04.14 |
| 申请人 | 杭州启沛科技有限公司;南京大学 | 发明人 | 蔡银飞;翟东媛;赵毅;施毅 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L21/338(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人 | 陈建和 |
| 主权项 | 一种阶梯式沟槽MOS肖特基二极管器件，包括N+半导体衬底；N‑外延层，位于N+半导体衬底上；N‑外延层上加工阶梯状的沟槽结构；其特征在于：梯形沟槽内壁生长氧化层；N‑外延层上及沟槽内生长肖特基接触的阳极金属；N+衬底下面生长欧姆接触的阴极金属。 | ||
| 地址 | 311100 浙江省杭州市余杭区文一西路998号19幢704 | ||