| 发明名称 | 采用后端CMOS工艺三维光电集成的方法 | ||
| 摘要 | 一种采用后端CMOS工艺三维光电集成的方法，包括如下步骤：步骤1：提供CMOS集成电路芯片；步骤2：在CMOS集成电路芯片上表面制备二氧化硅层；步骤3：对二氧化硅层进行平坦化处理；步骤4：在二氧化硅层上表面制备光电器件层，并在此层制备光电器件；步骤5：在光电器件层的表面向下刻蚀多个通孔，并在通孔中填充金属，与CMOS集成电路芯片上的电极接触，完成电学互连；步骤6：在光电器件层的表面淀积金属，制备电极，完成制备。本发明的工艺温度控制在400℃以下，可以防止因工艺温度过高导致的集成电路芯片失效。 | ||
| 申请公布号 | CN103956340A | 申请公布日期 | 2014.07.30 |
| 申请号 | CN201410192668.0 | 申请日期 | 2014.05.08 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 黄北举;张赞;张赞允;陈弘达 |
| 分类号 | H01L21/8249(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8249(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种采用后端CMOS工艺三维光电集成的方法，包括如下步骤：步骤1：提供CMOS集成电路芯片；步骤2：在CMOS集成电路芯片上表面制备二氧化硅层；步骤3：对二氧化硅层进行平坦化处理；步骤4：在二氧化硅层上表面制备光电器件层，并在此层制备光电器件；步骤5：在光电器件层的表面向下刻蚀多个通孔，并在通孔中填充金属，与CMOS集成电路芯片上的电极接触，完成电学互连；步骤6：在光电器件层的表面淀积金属，制备电极，完成制备。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||